台积电首次公布 3nm 工艺详情:量产延期,依旧采用 FinFET 技术

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技术编辑:SiFou NewOffice Carl博客报告:Carl博客
预计到2020年,全球半导体业界将因传染病事件而下降,但累计电力不会逆转,拥有7nm,5nm尖端技术的人受到更多客户的欢迎。今天的再补会上也将首次发表3nm工程细节,计划于2022年下半年批量生产。
赤战原定于4月29日在美国举行技术论坛,正式发表3nm工程细节,但该技术会议延长到8月,今天的Q1财界会议上首次没有对外公布3nm工程的技术信息和进展。
因此,3nm工艺研究开发将按照预想,不受发病影响,进入2021年风险试生产阶段,预计2022年下半年批量生产。
投入3nm工程资金的大积电约为500亿美元,仅工厂建设一件就至少为200亿美元,当初计划6月试生产,但受传染病影响,推迟到10月。
在技术路线上,基于目前认为FinFET工艺在成本和能效方面更好的各种选择,3纳米选择仍然是FinFET晶体管技术。
在3nm节点上,平台赤战的最大对手是三星。三星去年已经宣布了3nm GAE工艺,放弃了3nm节点上的FinFET晶体管,将方向改为GAA环绕声门晶体管工艺。与常规FinFET相比,此技术将晶体管堆叠在彼此的顶部,从而减少了固有空间的使用。MCBFET GAA晶体管可以灵活地调整晶体管宽度。也就是说,整个堆栈晶体管的宽度可以达到设计者所需的宽度。
与7nm FinFET过程相比,3nm GAE过程的核心面积减少了45%,功耗减少了50%,性能提高了35%。
三星此前计划在2021年之前批量生产,但在最近的报告中,三星的3nm工程交易时间将延长到2022年。业界消息人士指出,这不是工艺制造上的延迟,而是因为EUV光刻等核心设备的物流延迟。
因此,目前还不知道火战和三星能否选拔3nm技术。
随着3nm工艺的接近,在达到硅基半导体的极限之前,电热电力有信心推进工程,直到2nm或1nm为止,但目前为止只有一张话,没有相关研究结果。因此,业界认为3nm工艺很可能是CPU等芯片的限制。
但是讨论这个问题还为时过早。全热电不放弃FinFET技术,拥抱更适合3nm的GAA的原因是,2020年最大关注的问题仍然是5nm技术。2020年第二季度,苹果A14处理器和独角兽1020处理器的批量生产压力意外发生。因此,敌后的报酬也可能是“缓慢的兵法”。

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